河南：積極布局半導體材料產業發展以碳化硅、氮化鎵為重點的第三代半導體材料

admin2022-03-25 01:22:12342

【河南：積極布局半導體材料產業發展以碳化硅、氮化鎵為重點的第三代半導體材料】財聯社2月17日電，河南近日印發“十四五”數字經濟和信息化發展規劃，規劃提出，積極布局半導體材料產業，發展以碳化硅、氮化鎵為重點的第三代半導體材料，提升大尺寸單晶硅拋光片、電子級高純硅材料、區熔硅單晶研發及產業化能力，推進新型敏感材料、復合功能材料、電子級氫氟酸、半導體靶材研發及產業化，提升集成電路設計能力。充分挖掘省內產業基礎，發展光通信芯片、電源管理芯片。支持鄭州航空港經濟綜合實驗區發展高端模擬與數模混合芯片，提升硅單晶拋光片產能，推進第三代化合物半導體生產線、高可靠集成電路封裝測試生產線、工業模塊電源生產線建設，加快實現規模化生產，推動半導體封測、切片、磨片、拋光等專用設備產業化。